1. 什么是DRAM?

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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态飞速存取存储器。

2. DRAM结构及特质

1. 动态存储，DRAM 需要不休地刷新技术保捏数据，因为它是讹诈电容存储电荷的旨趣来保存数据，而电容会跟着时期迟缓放电，是以需要依期刷新以补充电荷，防守数据的强壮。

2. 飞速存取，不错飞速地对存储单位进行读写操作，而不需要像限定存储器那样按照特定的限定进行造访。

DRAM 1T1C 的电路结构（存储0/1的最小单位）主要由一个晶体管（MOSFET）和一个电容器（Capacitance）构成。当电容器充电时，暗意存储的数据为 “1”；当电容器放电时，暗意存储的数据为 “0”。

晶体管的栅极贯串字线（Word Line，WL），源极和漏极中的一端贯串位线（Bit Line，BL），另一端贯串电容器 。电容器的一端贯串晶体管的源极或漏极，另一端接地或贯串到一个固定的电压参考点。

字线：字线是用于领受存储单位行的约束线。当字线被激活云开体育时，对应的行中的总共晶体管的栅极齐会受到电压信号的作用，从而使这些晶体管导通，允许位线与电容器之间进行数据传输。

位线：位线是用于传输数据的澄澈，它与每列存储单位中的晶体管的源极或漏极贯串。在读写操作时，数据通过位线传输到存储单位或从存储单位中读出。

3. DRAM的使命旨趣

1. 写入：将0或1写入电容器

2. 读出：读出写入电容器的数据

3. 刷新：读出存储单位中的数据，独立行将其从头写入该存储单位，以补充电容器中归天的电荷。

字线、位线高的状况称之为High(H)，低的状况称之为Low(L).

DRAM写入使命旨趣

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在晶体管导通状况下调度位线电压，通过对电容器进行充放电来进行写入。

DRAM读取使命旨趣

字线被激活，存储单位中的晶体管导通，凭证要写入的数据，在位线上施加相应的电压。若是要写入 “1”，则位线为高电压(H)，使电容器充电；若是要写入 “0”，则位线为低电压(L)，使电容器放电。

通过翻开晶体管并检测位线电位变化，读取存储器单位的0,1。

字线被激活，存储单位中的晶体管导通，电容器与位线贯串。若是电容器中存储的是 “1”，即有电荷存在，那么电容器会向位线放电，使位线的电压升高；若是电容器中存储的是 “0”，即莫得电荷存在，那么位线的电压基本保捏不变。贯串到位线上的贤惠放大器检测位线的电压变化，并将其放大为可识别的逻辑电平，从而读出存储单位中的数据。